STMicroelectronics STP12NM50 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 188-8281
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STB12NM50T4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB70,880.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB75,840.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 03 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB70.88 | THB70,880.00 |
| 2000 - 3000 | THB68.753 | THB68,753.00 |
| 4000 + | THB66.691 | THB66,691.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-8281
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STB12NM50T4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | STP12NM50 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 350mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 160W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 9.35 mm | |
| Height | 4.37mm | |
| Length | 10.4mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series STP12NM50 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 350mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 160W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 9.35 mm | ||
Height 4.37mm | ||
Length 10.4mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The MDmesh™ is a new revolutionary MOSFET technology that associates the Multiple Drain process with the Company’s PowerMESH™horizontal layout. The resulting product has an outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics. The adoption of the Company’s proprietary strip technique yields overall dynamic performance.
High dv/dt and avalanche capabilities
Low input capacitance and gate charge
Tight process control and high manufacturing yields
Low gate input resistance
Applications
Switching application
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STP12NM50 Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB12NM50T4
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP12NM50
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MDmesh II Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STF14NM50N
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP14NM50N
- STMicroelectronics MDmesh 14 A 3-Pin TO-263 STB14NK50ZT4