onsemi Type P-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 NTR1P02LT1G
- RS Stock No.:
- 186-8957
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTR1P02LT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB190.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB203.25
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 4,650 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 725 | THB7.60 | THB190.00 |
| 750 - 1475 | THB7.41 | THB185.25 |
| 1500 + | THB7.296 | THB182.40 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 186-8957
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTR1P02LT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 350mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 400mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.01mm | |
| Length | 3.04mm | |
| Width | 1.4 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 350mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 400mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.01mm | ||
Length 3.04mm | ||
Width 1.4 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) ensure minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in space sensitive power management circuitry. Typical applications of these P-Channel Small Signal MOSFETs are dc-dc converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.
Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life
Miniature SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Space
End Products
Computers
Printers
PCMCIA cards
Cellular and Cordless Telephones
Applications
DC-DC Converters
Power Management in Portable and Battery Powered Products
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 NTR1P02LT3G
- onsemi Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 NTR4502PT1G
- onsemi Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 NTR4101PT1G