onsemi N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 186-1355P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTP110N65S3HF
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 200 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB44,657.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB47,783.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 692 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 200 - 398 | THB223.285 |
| 400 + | THB219.85 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 186-1355P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTP110N65S3HF
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 110mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 62nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 240W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.67mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.7mm | |
| Height | 16.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 110mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 62nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 240W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.67mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.7mm | ||
Height 16.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
ไม่สอดคล้อง
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for the various power systems for miniaturization and higher efficiency. SUPERFET III FRFET MOSFET’s optimized reverse recovery performance of body diode can remove additional component and improve system reliability.
700 V @ TJ = 150 °C
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 62 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 522 pF)
Optimized Capacitance
Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)
Typ. RDS(on) = 98 mΩ
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications
Telecommunication
Cloud system
Industrial
End Products
Telecom power
Server power
EV charger
Solar / UPS