onsemi NTTFS4C02N Type N-Channel MOSFET, 29 A, 30 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- RS Stock No.:
- 171-8365
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTTFS4C02NTAG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1500 ชิ้น)*
THB27,489.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB29,413.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 07 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1500 - 1500 | THB18.326 | THB27,489.00 |
| 3000 - 4500 | THB17.928 | THB26,892.00 |
| 6000 + | THB17.53 | THB26,295.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 171-8365
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTTFS4C02NTAG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 29A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | WDFN | |
| Series | NTTFS4C02N | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 4.2W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.15mm | |
| Width | 3.15 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 0.75mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 29A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type WDFN | ||
Series NTTFS4C02N | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 4.2W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.15mm | ||
Width 3.15 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 0.75mm | ||
Automotive Standard No | ||
Power MOSFET 30V 170A 2.25 mOhm Single N−Channel μ8FL
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Low Capacitance to Minimize Driver Losses
Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free
Applications
DCDC Converters
Power Load Switch
Notebook Battery Management
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTTFS4C02N Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin WDFN NTTFS4C02NTAG
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi NVTFS6H850N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin WDFN