onsemi FCMT N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PQFN
- RS Stock No.:
- 185-9219P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FCMT125N65S3
- ผู้ผลิต:
- onsemi
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
- RS Stock No.:
- 185-9219P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FCMT125N65S3
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 24A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | PQFN | |
| Series | FCMT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 125mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 49nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 181W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 8mm | |
| Length | 8mm | |
| Height | 1.05mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 24A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type PQFN | ||
Series FCMT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 125mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 49nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 181W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 8mm | ||
Length 8mm | ||
Height 1.05mm | ||
Automotive Standard No | ||
ไม่สอดคล้อง
- COO (Country of Origin):
- PH
700 V @ TJ = 150 oC
Leadless Ultra-thin SMD package
Kelvin contact
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 49 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 406 pF)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 100 mΩ
Internal Gate Resistance: 0.5 Ω
Higher system reliability at low temperature operation
High power density
Low gate noise and switching loss
Low switching loss
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications
Telecommunication
Cloud system
Industrial
End Products
Telecom power
Server power
LED Lighting
Adapter