onsemi NVMJS1D3N04C Type N-Channel MOSFET, 235 A, 40 V Enhancement, 8-Pin LFPAK NVMJS1D3N04CTWG
- RS Stock No.:
- 185-9186
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMJS1D3N04CTWG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 4 ชิ้น)*
THB363.992
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB389.472
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 2,992 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 4 - 748 | THB90.998 | THB363.99 |
| 752 - 1496 | THB88.72 | THB354.88 |
| 1500 + | THB87.353 | THB349.41 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 185-9186
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMJS1D3N04CTWG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 235A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | NVMJS1D3N04C | |
| Package Type | LFPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 65nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 128W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 5mm | |
| Width | 4.9 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.2mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 235A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series NVMJS1D3N04C | ||
Package Type LFPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 65nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 128W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 5mm | ||
Width 4.9 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.2mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
ไม่สอดคล้อง
- COO (Country of Origin):
- PH
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications requiring enhanced board level reliability.
Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
LFPAK8 Package, Industry Standard
PPAP Capable
These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NVMJS1D3N04C Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin LFPAK
- onsemi NTMFS5C430N Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi NTMFS5C430N Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN NTMFS5C430NT1G
- Infineon ISC012N04NM6AT 1 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON ISC012N04NM6ATMA1
- Infineon ISC012N04NM6AT 1 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- onsemi NTMFS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- onsemi NTMFS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PQFN NTMFSC1D6N06CL
- onsemi NTMYS1D2N04CL Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin LFPAK