onsemi FDWS Type N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V Enhancement, 8-Pin DFN FDWS86068-F085
- RS Stock No.:
- 185-9082
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDWS86068-F085
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 4 ชิ้น)*
THB563.292
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB602.724
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 2,984 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 4 - 748 | THB140.823 | THB563.29 |
| 752 - 1496 | THB137.30 | THB549.20 |
| 1500 + | THB135.19 | THB540.76 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 185-9082
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDWS86068-F085
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | DFN | |
| Series | FDWS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 31nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 214W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 6.3 mm | |
| Height | 1.05mm | |
| Length | 5.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type DFN | ||
Series FDWS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 31nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 214W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 6.3 mm | ||
Height 1.05mm | ||
Length 5.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
ไม่สอดคล้อง
- COO (Country of Origin):
- PH
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 80A, 4.5mΩ
Typical RDS(on) = 5.2 mΩ at VGS = 10 V, ID = 80 A
Typical Qg(tot) = 31 nC at VGS = 10 V, ID = 80 A
UIS Capability
These Devices are Pb−Free
Wettable Flanks for Automatic Optical Inspection (AOI)
Applications
Automotive Engine Control
PowerTrain Management
Solenoid and Motor Drivers
Electronic Steering
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi FDWS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi FDBL Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin H-PSOF FDBL86066-F085
- onsemi Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi NTMFS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi NVM Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMTS1D2N08H