onsemi FDBL Type N-Channel MOSFET, 240 A, 100 V Enhancement, 8-Pin H-PSOF FDBL86066-F085
- RS Stock No.:
- 178-4421
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDBL86066-F085
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB460.04
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB492.245
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 1,525 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 495 | THB92.008 | THB460.04 |
| 500 - 995 | THB89.708 | THB448.54 |
| 1000 + | THB87.466 | THB437.33 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 178-4421
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDBL86066-F085
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 240A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | FDBL | |
| Package Type | H-PSOF | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 300W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 47nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.25V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 11.78 mm | |
| Length | 9.9mm | |
| Height | 2.4mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 240A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series FDBL | ||
Package Type H-PSOF | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 300W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 47nC | ||
Forward Voltage Vf 1.25V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 11.78 mm | ||
Length 9.9mm | ||
Height 2.4mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Features
Typical RDS(on) = 3.3 mΩ at VGS = 10V, ID = 80 A
Typical Qg(tot) = 47 nC at VGS = 10V, ID = 80 A
UIS Capability
Applications
Automotive Engine Control
PowerTrain Management
Solenoid and Motor Drivers
Electronic Steering
Integrated Starter/Alternator
Distributed Power Architectures and VRM
Primary Switch for 12V Systems
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi FDBL Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin H-PSOF
- onsemi NTBLS0D7N06C Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin H-PSOF NTBLS0D7N06C
- onsemi NTBLS0D7N06C Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin H-PSOF
- onsemi NTBL050N65S Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin H-PSOF
- onsemi NTBL050N65S Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin H-PSOF NTBL050N65S3H
- onsemi Type N-Channel MOSFET 80 V N, 8-Pin H-PSOF
- onsemi Type N-Channel MOSFET 80 V N, 8-Pin H-PSOF NVBLS1D7N08H
- onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin H-PSOF