onsemi NVMFS6D1N08H Type N-Channel MOSFET, 89 A, 80 V Enhancement, 5-Pin DFN
- RS Stock No.:
- 185-8154
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMFS6D1N08HT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1500 ชิ้น)*
THB33,907.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB36,280.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 13,500 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1500 - 1500 | THB22.605 | THB33,907.50 |
| 3000 - 4500 | THB21.927 | THB32,890.50 |
| 6000 + | THB21.269 | THB31,903.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 185-8154
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMFS6D1N08HT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 89A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | DFN | |
| Series | NVMFS6D1N08H | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 32nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 104W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1.05mm | |
| Length | 5.1mm | |
| Width | 6.1 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 89A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type DFN | ||
Series NVMFS6D1N08H | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 32nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 104W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1.05mm | ||
Length 5.1mm | ||
Width 6.1 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
ไม่สอดคล้อง
- COO (Country of Origin):
- MY
Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
NVMFSW6D1N08H - Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection
PPAP capable
These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, Beryllium Free
Typical Applications
Synchronous Rectification
AC/DC and DC/DC Power Supplies
AC/DC Adapters (USB PD) SR
Load Switch
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NVMFS6D1N08H Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN NVMFS6D1N08HT1G
- onsemi NVMFS6H801N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NVMFS6H824N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NTMFS6H800N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NTMFS6H801N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NVMFS6H800N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NVMFS6H818N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN
