ROHM R6012JNX Type N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R6012JNXC7G
- RS Stock No.:
- 185-1232
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R6012JNXC7G
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 100 ชิ้น)*
THB6,885.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB7,367.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 100 + | THB68.856 | THB6,885.60 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 185-1232
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R6012JNXC7G
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | R6012JNX | |
| Package Type | TO-220FM | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 390mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 60W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5 mm | |
| Length | 10.3mm | |
| Height | 16.27mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series R6012JNX | ||
Package Type TO-220FM | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 390mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 60W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5 mm | ||
Length 10.3mm | ||
Height 16.27mm | ||
Automotive Standard No | ||
R6012JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
Fast reverse recovery time (trr)
Low on-resistance
Fast switching speed
Drive circuits can be simple
Pb-free plating , RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM R6012JNX Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R6012JNXC7G
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R6049YNXC7G
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R6061YNXC7G
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R6027YNXC7G
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R6010YNXC7G
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R6038YNXC7G
- ROHM Single 1 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R6015ANX
- ROHM R6520ENX Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R6520ENX