onsemi NVTFS5116PL Type P-Channel MOSFET, 14 A, 60 V Enhancement, 8-Pin WDFN NVTFS5116PLTAG
- RS Stock No.:
- 184-1458
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVTFS5116PLTAG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 380 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB271.32
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB286.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB306.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 3,020 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 10 - 370 | THB28.65 | THB286.50 | - |
| 380 - 740 | THB27.936 | THB279.36 | THB271.32 |
| 750 + | THB27.505 | THB275.05 | THB858.75 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 184-1458
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVTFS5116PLTAG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 14A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | WDFN | |
| Series | NVTFS5116PL | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 72mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 21W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 800μm | |
| Width | 3.15mm | |
| Length | 3.15mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 14A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type WDFN | ||
Series NVTFS5116PL | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 72mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 21W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 800μm | ||
Width 3.15mm | ||
Length 3.15mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NVTFS5116PL Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin WDFN NVTFS5116PLTAG
- onsemi NVTFS5124PL Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin WDFN FDMS86263P
- onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin WDFN FDMS86163P
- onsemi NVTFS5124PL Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin WDFN NVTFS5124PLTAG
- onsemi NTTFS5116PL Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin WDFN NTTFS5116PLTAG
- onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin WDFN FDMC86139P
- onsemi UltraFET N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 8-Pin WDFN
