onsemi Type N-Channel MOSFET, 2.4 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 NTR4170NT1G
- RS Stock No.:
- 184-1305
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTR4170NT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 100 ชิ้น)*
THB528.70
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB565.70
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,300 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 100 - 700 | THB5.287 | THB528.70 |
| 800 - 1400 | THB5.154 | THB515.40 |
| 1500 + | THB5.075 | THB507.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 184-1305
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTR4170NT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 110mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 480mW | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.76nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.01mm | |
| Length | 3.04mm | |
| Width | 1.4 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 110mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 480mW | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.76nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.01mm | ||
Length 3.04mm | ||
Width 1.4 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
This is a 30 V N-Channel Power MOSFET.
Low rDS(on) to Minimize Conduction Loss
Low Gate Charge
Low Threshold Levels
Applications:
Power Converters for Portables
Battery Management
Load/Power Switch
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 NTR4503NT1G
- onsemi Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 NTR4501NT1G
- onsemi Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 NVTR4503NT1G