DiodesZetex DMN N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 DMN6069SE-13
- RS Stock No.:
- 182-6900
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMN6069SE-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB16,507.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB17,662.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB6.603 | THB16,507.50 |
| 5000 - 7500 | THB6.405 | THB16,012.50 |
| 10000 + | THB6.213 | THB15,532.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 182-6900
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMN6069SE-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | DMN | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 100mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 11W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.55mm | |
| Width | 3.55mm | |
| Height | 1.65mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series DMN | ||
Package Type SOT-223 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 100mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 11W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.55mm | ||
Width 3.55mm | ||
Height 1.65mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
Applications
Motor control
Transformer driving switch
DC-DC Converters
Power management functions
Uninterrupted power supply
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex DMN N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 DMN6069SE-13
- DiodesZetex DMN N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 DMN3032LE-13
- DiodesZetex DMN N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-23 DMN10H220L-7
- DiodesZetex DMN N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin TO-252 DMN3009SK3-13
- DiodesZetex DMN6040SE N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 DMN6040SE-13
- DiodesZetex DMN6068SE N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 DMN6068SE-13
- DiodesZetex DMN N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMN4800LSSL-13
- DiodesZetex N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
