onsemi FDPF Type N-Channel MOSFET, 128 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 FDPF4D5N10C

RS Stock No.:: 181-1917
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDPF4D5N10C
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi FDPF Type N-Channel MOSFET, 128 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 FDPF4D5N10C

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB425.30

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB455.08

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

564 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 248	THB212.65	THB425.30
250 - 498	THB207.335	THB414.67
500 +	THB204.15	THB408.30

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 181-1917
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDPF4D5N10C
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	128A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	FDPF
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	37.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	48nC
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	10.36mm
	Standards/Approvals	No
	Height	16.07mm
	Width	4.9 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 128A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series FDPF
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 37.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48nC
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 10.36mm
	Standards/Approvals No
	Height 16.07mm
	Width 4.9 mm
	Automotive Standard No

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

This N-Channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Max RDS(on) = 4.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 128 A

Power Density & Shielded Gate Power Density & Shielded Gate High efficiency / High performance

High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on)

High power density with Shielded gate technology

Extremely Low Reverse Recovery Charge, Qrr

Low Vds spike internal snubber function.

Low Gate Charge, QG = 48nC (Typ.)

Low switching loss

High Power and Current Handling Capability

Low Qrr/Trr

Soft recovery performance

Synchronous Rectification for ATX / Server / Workstation / Telecom PSU / Adapter and Industrial Power Supplies.

Motor drives and Uninterruptible Power Supplies

Micro Solar Inverter

Server

Telecom

Computing (ATX, Workstation, Adapter, Industrial Power Supplies etc.)

Motor Drive

Uninterruptible Power Supplies

Solar Inverter

onsemi FDPF Type N-Channel MOSFET, 128 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 FDPF4D5N10C

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง