Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 50 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD50P06-15L_GE3

RS Stock No.:: 180-7967
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQD50P06-15L_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 50 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD50P06-15L_GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB329.14

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB352.18

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

125 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
1,360 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 12 มกราคม 2569

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 495	THB65.828	THB329.14
500 - 995	THB64.182	THB320.91
1000 +	THB63.194	THB315.97

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 180-7967
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQD50P06-15L_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	TrenchFET
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	20mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	98nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	136W
	Forward Voltage Vf	-1.5V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Length	10.41mm
	Height	2.38mm
	Width	6.73 mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series TrenchFET
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 20mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 98nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 136W
	Forward Voltage Vf -1.5V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Length 10.41mm
	Height 2.38mm
	Width 6.73 mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet

COO (Country of Origin):: TW

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 60V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 15.5mohm at a gate-source voltage of 10V. It has continuous drain current of 50A and maximum power dissipation of 136W. The minimum and a maximum driving voltage for this transistor are 4.5V and 10V respectively. It is used in automotive applications. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C

• Package with low thermal resistance

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• Adaptor switch

• Load switches

Certifications

• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

• UIS tested