onsemi FCH N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 FCH125N65S3R0-F155

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (2 ชิ้น, ในแพ็คขนาด 2)*

THB499.88

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB534.88

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 24 พฤษภาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 6THB249.94THB499.88
8 - 14THB243.69THB487.38
16 +THB239.94THB479.88

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :

ตัวเลือก

สินค้านี้ไม่มีจำหน่ายในขณะนี้ ลองดูสินค้าอื่นที่เราแนะนำ

presentation
onsemi FCH N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 FCH125N65S3R0-F155
RS Stock No.
178-4239

Each (In a Tube of 30)

THB4,333.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB4,636.84

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

RS Stock No.:
178-4649
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FCH125N65S3R0-F155
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

24A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-247

Series

FCH

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

125mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

181W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

4.82mm

Length

15.87mm

Height

20.82mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET Easy drive series helps manage EMI issues and allows for easier design implementation.

700 V @ TJ = 150 oC

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 439 pF)

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 46 nC)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 105 mΩ

Internal Gate Resistance: 0.5 Ω

Benefits:

Higher system reliability at low temperature operation

Low switching loss

Low switching loss

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Applications:

Computing

Consumer

Industrial

End Products:

Notebook / Desktop computer / Game console

Telecom / Server

UPS / Solar

LED Lighting / Ballast

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง