onsemi NVMFS5C638NL N-Channel MOSFET, 133 A, 60 V Enhancement, 5-Pin DFN
- RS Stock No.:
- 178-4407P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMFS5C638NLT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 380 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB25,394.26
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB27,171.90
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 1,410 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 380 - 740 | THB66.827 |
| 750 + | THB65.798 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 178-4407P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMFS5C638NLT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 133A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | DFN | |
| Series | NVMFS5C638NL | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 18.4nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 100W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1.05mm | |
| Width | 6.1mm | |
| Length | 5.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 133A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type DFN | ||
Series NVMFS5C638NL | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18.4nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 100W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1.05mm | ||
Width 6.1mm | ||
Length 5.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Automotive Power MOSFET in a 5 x 6 mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection.Suitable for automotive applications.
Features
Industry Standard Small Footprint 5 x 6 mm Package
Low RDS(on)
Low QG and Capacitance
NVMFS5C638NLWF - Wettable Flank Option
PPAP capable
Benefits
Compact Design and Standard footprint for direct drop-in
Minimize Conduction Losses
Minimize Driver Losses
Enhanced Optical Inspection
Applications
Reverser Battery protection
Switching power supplies
Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)
End Products
Solenoid Driver – ABS, Fuel injection
Motor Control – EPS, Wipers, Fans, Seats, etc.
Load Switch – ECU, Chassis, Body