onsemi FCP Type N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

RS Stock No.:: 178-4242
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FCP125N65S3R0
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi FCP Type N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB4,942.10

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB5,288.05

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 800 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB98.842	THB4,942.10
100 - 150	THB96.693	THB4,834.65
200 +	THB94.544	THB4,727.20

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-4242
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FCP125N65S3R0
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	24A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	FCP
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	125mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	46nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Maximum Power Dissipation Pd	181W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	10.67mm
	Height	16.3mm
	Standards/Approvals	No
	Width	4.7 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 24A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series FCP
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 125mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 46nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Maximum Power Dissipation Pd 181W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 10.67mm
	Height 16.3mm
	Standards/Approvals No
	Width 4.7 mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET Easy drive series helps manage EMI issues and allows for easier design implementation.

700 V @ T_J = 150 °C

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 439 pF)

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 46 nC)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 105 mΩ

Internal Gate Resistance: 0.5 Ω

Benefits:

Higher system reliability at low temperature operation

Low switching loss

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Applications:

Computing

Consummer

Industrial

End Products:

Notebook / Desktop computer / Game console

Telecom / Server

LCD / LED TV

LED Lighting / Ballast

Adapter

onsemi FCP Type N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง