Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 14.2 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

RS Stock No.:: 178-3962P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiS110DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 14.2 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย 750 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*

THB12,922.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB13,830.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
750 - 1475	THB17.23
1500 +	THB16.965

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-3962P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiS110DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay Siliconix

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay Siliconix
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	14.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	PowerPAK 1212
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	70mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	8.5nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	24W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.07mm
	Standards/Approvals	No
	Length	3.15mm
	Width	3.15 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay Siliconix
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 14.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type PowerPAK 1212
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 70mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.5nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 24W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.07mm
	Standards/Approvals No
	Length 3.15mm
	Width 3.15 mm
	Automotive Standard No

Datasheet

สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น

COO (Country of Origin):: CN

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 14.2 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง