Vishay Siliconix SiS110DN N-Channel MOSFET, 14.2 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiS110DN-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 178-3962P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiS110DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay Siliconix
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 750 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB18,515.25
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB19,811.25
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 750 - 1475 | THB24.687 |
| 1500 + | THB24.308 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 178-3962P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiS110DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay Siliconix
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay Siliconix | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 14.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | PowerPAK 1212 | |
| Series | SiS110DN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 70mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 24W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 3.15mm | |
| Height | 1.07mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 3.15mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay Siliconix | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 14.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type PowerPAK 1212 | ||
Series SiS110DN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 70mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 24W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 3.15mm | ||
Height 1.07mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 3.15mm | ||
Automotive Standard No | ||
สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SiS110DN Series MOSFET, 100V Drain Source Voltage, 14.2A Continuous Drain Current - SiS110DN-T1-GE3
This MOSFET is a surface-mount N-channel transistor designed for switching and power management in compact electronic assemblies. It operates across a wide ambient range and is intended for applications requiring a balance of voltage handling, current capability and moderate gate charge for efficient control.
Features and Benefits:
• 100V drain tolerance enables high-voltage switching capability
• 70 mΩ low RDS(on) reduces conduction losses
• 14.2A continuous drain current supports substantial load currents
• 24W power dissipation allows sustained power handling
• 8.5 nC typical gate charge facilitates responsive gate driving
• ±20V gate-source rating offers robust gate-voltage margin
• 70 mΩ low RDS(on) reduces conduction losses
• 14.2A continuous drain current supports substantial load currents
• 24W power dissipation allows sustained power handling
• 8.5 nC typical gate charge facilitates responsive gate driving
• ±20V gate-source rating offers robust gate-voltage margin
Applications
• Suitable for DC-DC converter switching stages
• Ideal for motor-drive low-side switching
• Used with synchronous rectification in power supplies
• Can be used for load switching in telecoms equipment
• Appropriate for battery management and power distribution
• Ideal for motor-drive low-side switching
• Used with synchronous rectification in power supplies
• Can be used for load switching in telecoms equipment
• Appropriate for battery management and power distribution
What thermal range can I expect for reliable operation?
The device is specified to function from -55 °C up to 150 °C, allowing use in environments with large temperature variation.
How does the package support PCB assembly and cooling?
It is supplied in a compact PowerPAK1212 package for low-profile surface-mount placement and reasonable thermal transfer to the PCB.
What gate-drive considerations apply given the gate charge?
With a typical gate charge of 8.5 nC, gate drivers should source and sink sufficient current to switch at the desired speed without excessive drive losses.
Are there any regulatory restrictions noted for this component?
The component conforms to RoHS requirements for restricted substances in electronic assemblies.