Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

RS Stock No.:: 178-3956P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQS944ENW-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย 750 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*

THB22,773.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB24,366.75

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

2,975 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย
750 - 1475	THB30.364
1500 +	THB29.897

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-3956P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQS944ENW-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay Siliconix

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay Siliconix
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	PowerPAK 1212
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	40mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	7.6nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	27.8W
	Forward Voltage Vf	0.82V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Transistor Configuration	Dual
	Width	3.15 mm
	Height	1.07mm
	Length	3.15mm
	Standards/Approvals	No
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay Siliconix
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type PowerPAK 1212
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 40mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.6nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 27.8W
	Forward Voltage Vf 0.82V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Transistor Configuration Dual
	Width 3.15 mm
	Height 1.07mm
	Length 3.15mm
	Standards/Approvals No
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet

สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น

COO (Country of Origin):: CN

TrenchFET® power MOSFET

Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง