Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย 750 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*

THB27,876.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB29,827.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 3,860 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น
ต่อหน่วย
750 - 1490THB37.168
1500 +THB36.596

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
178-3932P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiZ348DT-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAIR 3 x 3

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

10mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Power Dissipation Pd

16.7W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12.1nC

Maximum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Dual

Height

0.75mm

Length

3mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

High side and low side MOSFETs form optimized combination for 50 % duty cycle

Optimized RDS - Qg and RDS - Qgd FOM elevates efficiency for high frequency switching