Vishay Siliconix SQJ872EP Type N-Channel MOSFET, 24.5 A, 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8L SQJ872EP-T1_GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย 750 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*

THB29,140.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB31,180.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีสต็อกจำกัด
  • 2,920 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
750 - 1490THB38.854
1500 +THB38.256

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
178-3903P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SQJ872EP-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

24.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

SQJ872EP

Package Type

SO-8L

Mount Type

PCB

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0395Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14nC

Maximum Power Dissipation Pd

55W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Height

1.07mm

Length

5.99mm

Width

5mm

Automotive Standard

AEC-Q101

สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น

COO (Country of Origin):
CN

Vishay SQJ872EP Series MOSFET, 150V Drain Source Voltage, 24.5A Continuous Drain Current - SQJ872EP-T1_GE3


This MOSFET is a power switching device designed for high-voltage, high-current applications in demanding environments. It functions as an N‑channel enhancement transistor for switching and power conversion roles. The device is suitable for PCB mounting in a small-outline package and is manufactured to meet industry environmental standards.

Features and Benefits:


• Low on-resistance 0.0395Ω delivering reduced conduction losses
• High voltage capability 150V enabling robust switching headroom
• Continuous current rating 24.5A supporting substantial load currents
• Gate charge 14nC enabling efficient switching control
• Power dissipation 55W allowing sustained thermal load handling
• Wide gate tolerance ±20V making gate drive design flexible

Applications


• Suitable for automotive power stages requiring AEC‑Q101 compliance
• Ideal for industrial motor drive switch arrays
• Used with DC-DC converters in high-voltage systems
• Can be used for synchronous rectification in power supplies
• Useful in inverter and UPS front-end switching stages

What temperature range can it tolerate in harsh installations?


It operates across an extended span from -55°C up to 175°C, supporting extreme industrial and automotive thermal conditions.

What package and mounting approach does it use for board assembly?


The device is supplied in an SO‑8L package designed for PCB mounting to simplify integration into compact assemblies.

How does its forward voltage impact system design?


The forward conduction drop is 1.2V under specified conditions, which should be included in power-loss calculations and thermal‑management assessments.

Is the device suitable for regulated manufacturing and environmental requirements?


It meets RoHS directives, indicating restriction of specified hazardous substances in the component materials.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง