Microchip VP2450 Type P-Channel MOSFET, 160 mA, 500 V Enhancement, 3-Pin SOT-89 VP2450N8-G

RS Stock No.:: 177-9737
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: VP2450N8-G
ผู้ผลิต:: Microchip

Microchip VP2450 Type P-Channel MOSFET, 160 mA, 500 V Enhancement, 3-Pin SOT-89 VP2450N8-G

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB370.41

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB396.34

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

1,920 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 495	THB74.082	THB370.41
500 - 995	THB72.228	THB361.14
1000 +	THB71.12	THB355.60

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 177-9737
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: VP2450N8-G
ผู้ผลิต:: Microchip

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Microchip
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	160mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	500V
	Package Type	SOT-89
	Series	VP2450
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	35Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	1.6W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	-1.8V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.6mm
	Width	2.6 mm
	Length	4.6mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Microchip
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 160mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 500V
	Package Type SOT-89
	Series VP2450
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 35Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 1.6W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf -1.8V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.6mm
	Width 2.6 mm
	Length 4.6mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet

COO (Country of Origin):: TW

This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Free from secondary breakdown

Low power drive requirement

Ease of paralleling

Low CISS and fast switching speeds

High input impedance and high gain

Excellent thermal stability

Integral source-to-drain diode

Microchip VP2450 Type P-Channel MOSFET, 160 mA, 500 V Enhancement, 3-Pin SOT-89 VP2450N8-G

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง