onsemi NTMFS6H801N N-Channel MOSFET, 157 A, 80 V Enhancement, 5-Pin DFN
- RS Stock No.:
- 172-8986P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMFS6H801NT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 375 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB38,481.75
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB41,175.38
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,275 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 375 - 745 | THB102.618 |
| 750 + | THB101.042 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 172-8986P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMFS6H801NT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 157A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | DFN | |
| Series | NTMFS6H801N | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 64nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 166W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 800mV | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 6.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.1mm | |
| Width | 5.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 157A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type DFN | ||
Series NTMFS6H801N | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 64nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 166W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 800mV | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 6.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.1mm | ||
Width 5.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
Commercial Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance.
Small Footprint (5x6 mm)
Compact Design
Low RDS(on)
Minimize Conduction Losses
Low QG and Capacitance
Minimize Driver Losses
Applications
Switching power supplies
Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)
48V systems
Motor Control
Load Switch
DC/DC converter
Synchronous Rectifier