onsemi Dual NVMFD5C446NL 2 N-Channel MOSFET, 145 A, 40 V Enhancement, 8-Pin DFN
- RS Stock No.:
- 172-3377P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMFD5C446NLT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 380 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB44,637.84
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB47,762.58
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 580 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 380 - 740 | THB117.468 |
| 750 + | THB115.659 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 172-3377P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMFD5C446NLT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 145A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | DFN | |
| Series | NVMFD5C446NL | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Forward Voltage Vf | 800mV | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Height | 1.05mm | |
| Length | 6.1mm | |
| Width | 5.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 145A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type DFN | ||
Series NVMFD5C446NL | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Forward Voltage Vf 800mV | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Height 1.05mm | ||
Length 6.1mm | ||
Width 5.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Automotive Power MOSFET in a DPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Low on-resistance
Minimal conduction losses
High current capability
Robust load performance
Voltage overstress safeguard
Applications
Low Side Driver
High Side Driver
Motor drive
Automotive powertrain
Automotive HVAC motors
ABS pressure pumps