onsemi Dual NVMFD5C650NL 2 N-Channel MOSFET, 111 A, 60 V Enhancement, 8-Pin DFN
- RS Stock No.:
- 172-3345P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMFD5C650NLWFT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
- RS Stock No.:
- 172-3345P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMFD5C650NLWFT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 111A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | NVMFD5C650NL | |
| Package Type | DFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 900mV | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 5.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.1mm | |
| Height | 1.05mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 111A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series NVMFD5C650NL | ||
Package Type DFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 900mV | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 5.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.1mm | ||
Height 1.05mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Small Footprint (5x6 mm)
Compact Design
Low rDS(on)
Minimize Conduction Loss
Low QG and Capacitance
Minimize Driver Losses
NVMFD5C446NLWF − Wettable Flank Option
Enhanced Optical Inspection
PPAP Capable
Applications
Solenoid driver
Low side / high side driver
Automotive engine controllers
Antilock braking systems