onsemi NVD5C464N Type N-Channel MOSFET, 59 A, 40 V Enhancement, 4-Pin TO-252

RS Stock No.:: 172-3318
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NVD5C464NT4G
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi NVD5C464N Type N-Channel MOSFET, 59 A, 40 V Enhancement, 4-Pin TO-252

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB82,827.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB88,625.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 กันยายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2500 - 2500	THB33.131	THB82,827.50
5000 - 7500	THB32.137	THB80,342.50
10000 +	THB31.173	THB77,932.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 172-3318
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NVD5C464NT4G
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	59A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	NVD5C464N
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5.8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	40W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	20nC
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	2.25mm
	Length	6.73mm
	Width	6.22mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 59A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series NVD5C464N
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5.8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 40W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20nC
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 2.25mm
	Length 6.73mm
	Width 6.22mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

SuperFET® III MOSFET is ON Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SuperFET III MOSFET is very suitable for the various power system for miniaturization and higher efficiency.

700 V @ TJ = 150 oC

Higher system reliability at low temperature operation

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 259 nC)

Lower switching loss

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 1972 pF)

Lower switching loss

Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)

Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit

Optimized Capacitance

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Typ. RDS(on) = 23 mΩ

onsemi NVD5C464N Type N-Channel MOSFET, 59 A, 40 V Enhancement, 4-Pin TO-252

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง