ROHM RD3P200SN Type N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3P200SNTL
- RS Stock No.:
- 172-0472
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RD3P200SNTL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB397.78
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB425.62
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 620 | THB39.778 | THB397.78 |
| 630 - 1240 | THB38.784 | THB387.84 |
| 1250 + | THB38.189 | THB381.89 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 172-0472
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RD3P200SNTL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | RD3P200SN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 50mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 55nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.8mm | |
| Width | 6.4 mm | |
| Height | 2.3mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series RD3P200SN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 50mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 55nC | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.8mm | ||
Width 6.4 mm | ||
Height 2.3mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
RD3P200SN is a Power MOSFET with Low on - resistance., suitable for Switching.
Low on-resistance.
Fast switching speed.
Drive circuits can be simple.
Parallel use is easy.
Pb-free plating
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM RD3P200SN Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- ROHM RD3P200SN Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3P200SNTL1
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 FDPF3860T
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFI540NPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- onsemi NTD Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 NTD20N03L27T4G
- onsemi NTD Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252
