Toshiba Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TSON TPN2R304PL

RS Stock No.:: 171-2390
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: TPN2R304PL
ผู้ผลิต:: Toshiba

Toshiba Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TSON TPN2R304PL

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB206.21

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB220.64

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

14,890 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 1240	THB20.621	THB206.21
1250 - 2490	THB20.106	THB201.06
2500 +	THB19.797	THB197.97

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 171-2390
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: TPN2R304PL
ผู้ผลิต:: Toshiba

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Toshiba
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	TSON
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	104W
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	41nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	0.85mm
	Width	3.1 mm
	Length	3.1mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Toshiba
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type TSON
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 104W
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 0.85mm
	Width 3.1 mm
	Length 3.1mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet

สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น

High-Efficiency DC-DC Converters

Switching Voltage Regulators

Motor Drivers

High-speed switching

Small gate charge: QSW = 10.8 nC (typ.)

Small output charge: Qoss = 27 nC (typ.)

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.8 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 40 V)

Enhancement mode: Vth = 1.4 to 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)

Toshiba Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TSON TPN2R304PL

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง