Toshiba N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TSON TPN2R304PL
- RS Stock No.:
- 171-2390
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TPN2R304PL
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 1250 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB257.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB275.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 14,850 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 20 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 10 - 1240 | THB25.70 | THB257.00 | - |
| 1250 - 2490 | THB25.059 | THB250.59 | 2% |
| 2500 + | THB24.674 | THB246.74 | 3% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 171-2390
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TPN2R304PL
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TSON | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 104W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 41nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 850μm | |
| Length | 3.1mm | |
| Width | 3.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TSON | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 104W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 850μm | ||
Length 3.1mm | ||
Width 3.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TSON TPN2R304PL
- Toshiba N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TSON TPN3R704PL
- Toshiba N-Channel MOSFET 60 V EnhancementL1Q(M
- Toshiba U-MOSVIII-H N-Channel MOSFET 80 V EnhancementLQ(S
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TSON BSC012N06NSATMA1
- Toshiba N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TK100S04N1L
- Toshiba N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SOP
- Toshiba N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOP TPHR8504PL
