Toshiba Type N-Channel MOSFET, 65 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TSON TPN14006NH,L1Q(M
- RS Stock No.:
- 171-2385
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TPN14006NH,L1Q(M
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB190.32
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB203.64
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,790 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 1240 | THB19.032 | THB190.32 |
| 1250 - 2490 | THB18.556 | THB185.56 |
| 2500 + | THB18.27 | THB182.70 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 171-2385
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TPN14006NH,L1Q(M
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 65A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TSON | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 41mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 30W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3.1mm | |
| Width | 3.1 mm | |
| Height | 0.85mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 65A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TSON | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 41mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 30W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3.1mm | ||
Width 3.1 mm | ||
Height 0.85mm | ||
Automotive Standard No | ||
สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น
Switching Voltage Regulators
Motor Drivers
DC-DC Converters
High-speed switching
Small gate charge: QSW = 5.5 nC (typ.)
Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 11 mΩ (typ.)
Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V)
Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TSON
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TSON
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TSON
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TSON TPN3R704PL
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TSON TPN2R304PL
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 75 V, 8-Pin SOP
- Toshiba U-MOSVIII-H Type N-Channel MOSFET 80 V EnhancementLQ(S
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 75 VL1Q(M
