Infineon Si4435DYPbF Type P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4435DYTRPBF
- RS Stock No.:
- 171-1913
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI4435DYTRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB203.78
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB218.04
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 6,560 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 990 | THB20.378 | THB203.78 |
| 1000 - 1990 | THB19.971 | THB199.71 |
| 2000 + | THB19.571 | THB195.71 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 171-1913
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI4435DYTRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | Si4435DYPbF | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 35mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 40nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 4 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.5mm | |
| Length | 5mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series Si4435DYPbF | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 35mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 40nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 4 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.5mm | ||
Length 5mm | ||
Automotive Standard No | ||
ไม่สอดคล้อง
The Infineon SI4435DY is the 30V single P-channel HEXFET power MOSFET in a SO-8 package. These P-channel HEXFET power MOSFETs from International Rectifier utilize Advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area.
P-channel MOSFET
Surface mount
Available in tape and reel
Lead free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Si4435DYPbF Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Infineon Dual HEXFET 2 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Infineon Dual HEXFET 2 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRF9362TRPBF
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4925DDY-T1-GE3
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex DMP3013 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin UDFN DMP3013SFK-7
- Vishay SQ3495EV Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP SQ3495EV-T1_GE3
- DiodesZetex DMP3013 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin UDFN