Infineon Si4435DYPbF Type P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4435DYTRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB203.78

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB218.04

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 990THB20.378THB203.78
1000 - 1990THB19.971THB199.71
2000 +THB19.571THB195.71

*price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์:
RS Stock No.:
171-1913
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:
SI4435DYTRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

Si4435DYPbF

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

35mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

40nC

Forward Voltage Vf

-1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

5mm

Height

1.5mm

Width

4 mm

Automotive Standard

No

ไม่สอดคล้อง

The Infineon SI4435DY is the 30V single P-channel HEXFET power MOSFET in a SO-8 package. These P-channel HEXFET power MOSFETs from International Rectifier utilize Advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area.

P-channel MOSFET

Surface mount

Available in tape and reel

Lead free

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง