Nexperia PMV20XNE N-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 1500 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB268.50

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย 750 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*

THB8,765.25

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB9,378.75

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 พฤศจิกายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
การประหยัด
750 - 1475THB11.687-
1500 +THB11.508THB268.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
170-5372P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
PMV20XNER
ผู้ผลิต:
Nexperia
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Nexperia

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

7.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOT-23

Series

PMV20XNE

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

38mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12.4nC

Maximum Power Dissipation Pd

6.94W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

3mm

Width

1.4mm

Height

1mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
Robust interfacing between asynchronous and synchronous systems. Flip-flops are Basic storage elements in digital electronics. By only allowing the output to change on an edge transition, flip-flops provide a robust Interface between asynchronous and synchronous systems. With a choice of either positive or negative edge triggered options they provide added design flexibility.

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Trench MOSFET technology

Low threshold voltage

Enhanced power dissipation capability of 1200 mW

ElectroStatic Discharge (ESD) protection: 2 kV HBM

Target applications

Relay driver

High-speed line driver

Low-side load switch

Switching circuits