Infineon IPB64N25S3-20 Type N-Channel MOSFET, 64 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 170-2295
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB64N25S320ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB132,848.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB142,147.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB132.848 | THB132,848.00 |
| 2000 - 3000 | THB129.96 | THB129,960.00 |
| 4000 + | THB127.072 | THB127,072.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 170-2295
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB64N25S320ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 64A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 250V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | IPB64N25S3-20 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 20mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 67nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 300W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 4.4mm | |
| Length | 10mm | |
| Width | 10.25 mm | |
| Automotive Standard | AEC | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 64A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 250V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series IPB64N25S3-20 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 20mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 67nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 300W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 4.4mm | ||
Length 10mm | ||
Width 10.25 mm | ||
Automotive Standard AEC | ||
The Infineon IPB64N25S3-20 is the 250V, N-channel automotive MOSFET. The package type of the device is the D2PAK 3pin and 175°C operating temperature.
N-channel - Enhancement mode
AEC qualified
MSL1 up to 260°C Peak reflow
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPB64N25S3-20 Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB64N25S320ATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB200N25N3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP200N25N3GXKSA1
- Infineon IMBG Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 7-Pin TO-263-7
- Infineon IMBG Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 7-Pin TO-263-7 IMBG65R039M1HXTMA1
- Infineon IMBF Type N-Channel MOSFET 100 V N, 7-Pin TO-263