Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 64 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263

RS Stock No.:: 165-8068
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB200N25N3GATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 64 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*

THB139,014.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB148,745.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
1000 - 1000	THB139.014	THB139,014.00
2000 - 3000	THB134.843	THB134,843.00
4000 +	THB130.798	THB130,798.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 165-8068
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB200N25N3GATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	64A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	250V
	Package Type	TO-263
	Series	OptiMOS 3
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	20mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	64nC
	Maximum Power Dissipation Pd	300W
	Forward Voltage Vf	1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Width	9.45 mm
	Length	10.31mm
	Height	4.57mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 64A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 250V
	Package Type TO-263
	Series OptiMOS 3
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 20mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 64nC
	Maximum Power Dissipation Pd 300W
	Forward Voltage Vf 1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Width 9.45 mm
	Length 10.31mm
	Height 4.57mm
	Automotive Standard No

สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้

COO (Country of Origin):: CN

Infineon OptiMOS™ 3 Series MOSFET, 64A Maximum Continuous Drain Current, 300W Maximum Power Dissipation - IPB200N25N3GATMA1

This N-channel MOSFET is designed for efficient power management in various electronic applications, featuring a maximum continuous drain current of 64A and a voltage rating of 250V. Its robust thermal performance and low on-resistance contribute to effective electrical performance across a wide temperature range, making it suitable for high-frequency switching and synchronous rectification.

Features & Benefits

• Optimal gate charge x RDS(on) product enhances efficiency

• Low on-resistance minimises power loss during operation

• Operational temperature up to +175°C accommodates diverse applications

• Complies with RoHS and halogen-free standards for eco-friendly use

• Compact D2PAK design and surface mount facilitate integration

• Qualified according to JEDEC for reliability in target applications

Applications

• Used in power supplies for automation systems

• Appropriate for high-efficiency converters in renewable energy

• Employed in motor control for industrial machinery

• Ideal for synchronous rectification in desktop power supplies

• Applied in electric vehicles for effective energy management

What measures should be taken to ensure optimal performance during installation?

It is important to maintain an effective thermal management system to dissipate heat, ensuring the device operates within its specified temperature limits.

Can this component be used in applications requiring Rapid switching?

Yes, it is suitable for high-frequency applications such as DC-DC converters and drivers due to its fast switching capabilities.

Is there a specific circuit design recommended for optimal use?

A proper gate driver circuit can enhance performance, particularly in terms of turn-on and turn-off times, which helps reduce switching losses.

What should be considered regarding environmental conditions during operation?

Ensure it is placed in an environment where temperatures remain within its operational limits of -55°C to +175°C to prevent thermal degradation.

How does this MOSFET perform under heavy load conditions?

It efficiently handles a continuous drain current of 64A while maintaining low on-resistance, thus reducing overheating and improving reliability under load.