Toshiba TK Type N-Channel MOSFET, 90 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 168-7980
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK40E10N1,S1X(S
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB1,945.15
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,081.30
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,900 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB38.903 | THB1,945.15 |
| 100 - 150 | THB37.735 | THB1,886.75 |
| 200 + | THB36.604 | THB1,830.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 168-7980
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK40E10N1,S1X(S
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 90A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | TK | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8.2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 126W | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 49nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.16mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.45 mm | |
| Height | 15.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 90A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series TK | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8.2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 126W | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 49nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.16mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.45 mm | ||
Height 15.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
MOSFET Transistors, Toshiba
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 100 V EnhancementS1X(S
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 120 V EnhancementS1X(S
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 120 V EnhancementS1X(S
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 3-Pin TO-220