STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT STL60N10F7
- RS Stock No.:
- 168-6989
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STL60N10F7
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 6000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB126,747.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB135,618.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 มิถุนายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB42.249 | THB126,747.00 | - |
| 6000 - 9000 | THB40.982 | THB122,946.00 | 2% |
| 12000 + | THB39.752 | THB119,256.00 | 5% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 168-6989
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STL60N10F7
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | PowerFLAT | |
| Series | STripFET H7 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 16.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 5W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5.4mm | |
| Width | 6.35mm | |
| Height | 950μm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type PowerFLAT | ||
Series STripFET H7 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 16.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 5W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5.4mm | ||
Width 6.35mm | ||
Height 950μm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT STL60N10F7
- STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT STL30N10F7
- STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT STL110N10F7
- STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB100N10F7
- STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD45N10F7
- STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP110N10F7
- STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD100N10F7