onsemi FDN357N Type N-Channel MOSFET, 1.9 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- RS Stock No.:
- 166-1718
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDN357N
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB22,938.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB24,543.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB7.646 | THB22,938.00 |
| 6000 - 9000 | THB7.416 | THB22,248.00 |
| 12000 + | THB7.194 | THB21,582.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 166-1718
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDN357N
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | FDN357N | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 600mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500mW | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.2nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 2.92mm | |
| Width | 1.4 mm | |
| Height | 0.94mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series FDN357N | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 600mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500mW | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.2nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 2.92mm | ||
Width 1.4 mm | ||
Height 0.94mm | ||
Automotive Standard No | ||
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi FDN357N Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDN357N
- Nexperia BSH108 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement215
- Nexperia BSH108 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 NTR4502PT1G
- Nexperia PMV213SN Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia PMV213SN Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement215
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R3K3P7ATMA1