onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 7.5 A, 100 V Enhancement, 8-Pin WDFN FDMC86116LZ
- RS Stock No.:
- 166-1665
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDMC86116LZ
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 6000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB3,180.00
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB52,971.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB56,679.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 เมษายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB17.657 | THB52,971.00 | - |
| 6000 - 9000 | THB17.127 | THB51,381.00 | THB3,180.00 |
| 12000 + | THB16.613 | THB49,839.00 | THB12,528.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 166-1665
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDMC86116LZ
- ผู้ผลิต:
- onsemi
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | PowerTrench | |
| Package Type | WDFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 178mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 19W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3.3mm | |
| Width | 3.3mm | |
| Height | 750μm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series PowerTrench | ||
Package Type WDFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 178mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 19W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3.3mm | ||
Width 3.3mm | ||
Height 750μm | ||
Automotive Standard No | ||
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin WDFN FDMC86116LZ
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin WDFN FDMC8010
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin WDFN FDMS86252L
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin WDFN FDMS86101
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN FDMS86300
