DiodesZetex DMN10H099SK3 N-Channel MOSFET, 17 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 DMN10H099SK3-13
- RS Stock No.:
- 165-8397
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMN10H099SK3-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB29,150.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB31,200.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB11.66 | THB29,150.00 |
| 5000 - 7500 | THB11.31 | THB28,275.00 |
| 10000 + | THB10.971 | THB27,427.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-8397
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMN10H099SK3-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 17A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | DMN10H099SK3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 99mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 25.2nC | |
| Forward Voltage Vf | 770mV | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 34W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.2mm | |
| Width | 6.7mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 2.39mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 17A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series DMN10H099SK3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 99mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25.2nC | ||
Forward Voltage Vf 770mV | ||
Maximum Power Dissipation Pd 34W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.2mm | ||
Width 6.7mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 2.39mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex DMN10H099SK3 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 DMN10H099SK3-13
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRLR3410TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRLR3410TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon LogicFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IRLU3410PBF
- Infineon LogicFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRL530NPBF