STMicroelectronics STI28 Type N-Channel MOSFET, 22 A, 650 V Enhancement, 3-Pin I2PAK STI28N60M2

RS Stock No.:: 164-6985
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STI28N60M2
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STI28 Type N-Channel MOSFET, 22 A, 650 V Enhancement, 3-Pin I2PAK STI28N60M2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB192.41

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB205.878

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 12	THB96.205	THB192.41
14 - 24	THB93.795	THB187.59
26 +	THB92.36	THB184.72

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 164-6985
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STI28N60M2
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	22A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	I2PAK
	Series	STI28
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	150mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	170W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	36nC
	Forward Voltage Vf	1.6V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	10.4mm
	Standards/Approvals	No
	Width	4.6 mm
	Height	9.3mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 22A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type I2PAK
	Series STI28
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 150mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 170W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC
	Forward Voltage Vf 1.6V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 10.4mm
	Standards/Approvals No
	Width 4.6 mm
	Height 9.3mm
	Automotive Standard No

These devices are N-channel Power MOSFETs developed using MDmesh™ M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high efficiency converters.

Extremely low gate charge

Excellent output capacitance (COSS ) profile

100% avalanche tested

Zener-protected

Extremely low Qg for increased efficiency

Optimized gate charge and capacitance profiles for resonant power supplies (LLC converters)

STMicroelectronics STI28 Type N-Channel MOSFET, 22 A, 650 V Enhancement, 3-Pin I2PAK STI28N60M2

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง