Nexperia PMCM4401VNE N-Channel MOSFET, 6 A, 12 V Enhancement, 4-Pin WLCSP PMCM4401VNEAZ

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
153-2892
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
PMCM4401VNEAZ
ผู้ผลิต:
Nexperia
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Nexperia

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

12V

Series

PMCM4401VNE

Package Type

WLCSP

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

120mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

12.5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

810μm

Length

810μm

Height

160μm

Automotive Standard

No

N-channel MOSFETs ≤ 20 V, Get the optimum switching solutions for your portable designs, Choose from a wide range of single and dual N-channel MOSFETs up to 20 V. Great reliability due to our trusted TrenchMOS and package technologies. Easy-to-use, our low voltage MOSFETs are designed specifically to meet the demands of portable applications with low drive voltages.

12V, N-channel Trench MOSFET, N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 4 bumps Wafer Level Chip-Size Package (WLCSP) using Trench MOSFET technology.

Low threshold voltage

Ultra small package: 0.78 x 0.78 x 0.35 mm

Trench MOSFET technology

ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM

Relay driver

High-speed line driver

Low-side loadswitch

Switching circuits

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง