Nexperia PMCM4401VNE Type N-Channel MOSFET, 6 A, 12 V Enhancement, 4-Pin WLCSP PMCM4401VNEAZ

RS Stock No.:: 153-2892
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: PMCM4401VNEAZ
ผู้ผลิต:: Nexperia

Nexperia PMCM4401VNE Type N-Channel MOSFET, 6 A, 12 V Enhancement, 4-Pin WLCSP PMCM4401VNEAZ

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB299.275

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB320.225

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 06 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
25 - 2225	THB11.971	THB299.28
2250 - 4475	THB11.672	THB291.80
4500 +	THB11.492	THB287.30

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 153-2892
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: PMCM4401VNEAZ
ผู้ผลิต:: Nexperia

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Nexperia
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	12V
	Series	PMCM4401VNE
	Package Type	WLCSP
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	120mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	12.5W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	6nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	0.81mm
	Standards/Approvals	No
	Width	0.81 mm
	Height	0.16mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Nexperia
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 12V
	Series PMCM4401VNE
	Package Type WLCSP
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 120mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 12.5W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 0.81mm
	Standards/Approvals No
	Width 0.81 mm
	Height 0.16mm
	Automotive Standard No

N-channel MOSFETs ≤ 20 V, Get the optimum switching solutions for your portable designs, Choose from a wide range of single and dual N-channel MOSFETs up to 20 V. Great reliability due to our trusted TrenchMOS and package technologies. Easy-to-use, our low voltage MOSFETs are designed specifically to meet the demands of portable applications with low drive voltages.

12V, N-channel Trench MOSFET, N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 4 bumps Wafer Level Chip-Size Package (WLCSP) using Trench MOSFET technology.

Low threshold voltage

Ultra small package: 0.78 x 0.78 x 0.35 mm

Trench MOSFET technology

ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM

Relay driver

High-speed line driver

Low-side loadswitch

Switching circuits

Nexperia PMCM4401VNE Type N-Channel MOSFET, 6 A, 12 V Enhancement, 4-Pin WLCSP PMCM4401VNEAZ

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง