Nexperia Type N-Channel MOSFET, 3.2 A, 12 V Enhancement, 4-Pin DFN PMXB40UNEZ

RS Stock No.:: 153-1958
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: PMXB40UNEZ
ผู้ผลิต:: Nexperia

Nexperia Type N-Channel MOSFET, 3.2 A, 12 V Enhancement, 4-Pin DFN PMXB40UNEZ

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB237.125

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB253.725

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

10,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 20 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
25 - 1225	THB9.485	THB237.13
1250 - 2475	THB9.248	THB231.20
2500 +	THB9.106	THB227.65

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 153-1958
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: PMXB40UNEZ
ผู้ผลิต:: Nexperia

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Nexperia
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	12V
	Package Type	DFN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	121mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	66nC
	Maximum Power Dissipation Pd	8.33W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	0.36mm
	Standards/Approvals	No
	Width	1.05 mm
	Length	1.15mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Nexperia
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 12V
	Package Type DFN
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 121mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 66nC
	Maximum Power Dissipation Pd 8.33W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 0.36mm
	Standards/Approvals No
	Width 1.05 mm
	Length 1.15mm
	Automotive Standard No

12 V, N-channel Trench MOSFET, N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Trench MOSFET technology

Leadless ultra small and thin SMD plastic package: 1.1 x 1.0 x 0.37 mm

Exposed drain pad for excellent thermal conduction

ElectroStatic Discharge (ESD) protection 1 kV

Very low Drain-Source on-state resistance RDSon = 34 mΩ

Very low threshold voltage of 0.65 V for portable applications

Low-side load switch and charging switch for portable devices

Power management in battery-driven portables

LED driver

DC-to-DC converters

Nexperia Type N-Channel MOSFET, 3.2 A, 12 V Enhancement, 4-Pin DFN PMXB40UNEZ

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง