DiodesZetex Dual DMT 2 Type N-Channel MOSFET, 7.6 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMTH6016LSD-13
- RS Stock No.:
- 146-4775
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMTH6016LSD-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB251.28
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB268.87
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- เพิ่มอีก 140 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 09 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- เพิ่มอีก 4,490 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 16 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 620 | THB25.128 | THB251.28 |
| 630 - 1240 | THB24.502 | THB245.02 |
| 1250 + | THB24.125 | THB241.25 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 146-4775
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMTH6016LSD-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOIC | |
| Series | DMT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 28mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.7V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.4W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 4.95mm | |
| Height | 1.5mm | |
| Width | 3.95 mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOIC | ||
Series DMT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 28mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.4nC | ||
Forward Voltage Vf 0.7V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.4W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 4.95mm | ||
Height 1.5mm | ||
Width 3.95 mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex Dual DMT 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Dual DMT Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex Dual DMT Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex Dual DMT Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin VDFN-3030
- DiodesZetex Dual DMT Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin VDFN-3030 DMT3009UDT-7
- DiodesZetex Dual DMT Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333-8 DMT4015LDV-7
- DiodesZetex Dual DMT Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333-8 DMT4014LDV-7
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC
