onsemi QFET Type N-Channel MOSFET, 5.5 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 FQP6N80C

RS Stock No.:: 146-1971
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FQP6N80C
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi QFET Type N-Channel MOSFET, 5.5 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 FQP6N80C

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB2,658.15

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,844.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

600 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB53.163	THB2,658.15
100 - 150	THB52.007	THB2,600.35
200 +	THB50.851	THB2,542.55

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 146-1971
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FQP6N80C
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Series	QFET
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.5Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	158W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	21nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Forward Voltage Vf	1.4V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	10.1mm
	Standards/Approvals	No
	Height	9.4mm
	Width	4.7 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Series QFET
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.5Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 158W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Forward Voltage Vf 1.4V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 10.1mm
	Standards/Approvals No
	Height 9.4mm
	Width 4.7 mm
	Automotive Standard No

QFET® N-Channel MOSFET, up to 5.9A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.

They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi QFET Type N-Channel MOSFET, 5.5 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 FQP6N80C

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

QFET® N-Channel MOSFET, up to 5.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง