IXYS Type N-Channel MOSFET, 22 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 146-1747
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFP22N60P3
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB6,565.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB7,024.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 250 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB131.30 | THB6,565.00 |
| 100 - 150 | THB128.445 | THB6,422.25 |
| 200 + | THB125.591 | THB6,279.55 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 146-1747
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFP22N60P3
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 22A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 360mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.4V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 16mm | |
| Width | 4.83 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.66mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 22A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 360mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.4V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 16mm | ||
Width 4.83 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.66mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- US
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- IXYS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IXFP22N60P3
- IXYS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH22N60P3
- IXYS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- IXYS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IXFA22N65X2
- IXYS Type N-Channel MOSFET 300 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- IXYS Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- IXYS Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220