Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP052N06L3GXKSA1

RS Stock No.:: 145-9265
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPP052N06L3GXKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP052N06L3GXKSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 150 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB2,151.75

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,302.35

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 25 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*	การประหยัด
50 - 100	THB43.035	THB2,151.75	-
150 - 200	THB41.959	THB2,097.95	2%
250 +	THB41.314	THB2,065.70	3%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 145-9265
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPP052N06L3GXKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TO-220
	Series	OptiMOS 3
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.7mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	37nC
	Maximum Power Dissipation Pd	115W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	15.95mm
	Width	4.57mm
	Length	10.36mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TO-220
	Series OptiMOS 3
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.7mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC
	Maximum Power Dissipation Pd 115W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 15.95mm
	Width 4.57mm
	Length 10.36mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

Fast switching MOSFET for SMPS

Optimized technology for DC/DC converters

Qualified according to JEDEC1) for target applications

N-channel, logic level

Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

Very low on-resistance R DS(on)

Pb-free plating

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP052N06L3GXKSA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง