Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 171 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRLB8314PBF

RS Stock No.:: 130-1015
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLB8314PBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 171 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRLB8314PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB242.82

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB259.82

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

110 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 970 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 10	THB24.282	THB242.82
20 - 20	THB23.676	THB236.76
30 +	THB23.312	THB233.12

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 130-1015
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLB8314PBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	171A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3.2mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	40nC
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	16.51mm
	Standards/Approvals	No
	Width	4.83 mm
	Length	10.67mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 171A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series HEXFET
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3.2mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 40nC
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 16.51mm
	Standards/Approvals No
	Width 4.83 mm
	Length 10.67mm
	Automotive Standard No

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 171 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRLB8314PBF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง