IXYS PolarHVTM HiPerFET Type N-Channel MOSFET, 70 A, 500 V Enhancement, 3-Pin ISOPLUS264 IXFL100N50P
- RS Stock No.:
- 125-8039
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFL100N50P
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB1,081.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,156.88
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 40 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 6 | THB1,081.20 |
| 7 - 12 | THB1,054.17 |
| 13 + | THB1,037.96 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 125-8039
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFL100N50P
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 70A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Series | PolarHVTM HiPerFET | |
| Package Type | ISOPLUS264 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 52mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 240nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 625W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 20.29mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 26.42mm | |
| Width | 5.21 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 70A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Series PolarHVTM HiPerFET | ||
Package Type ISOPLUS264 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 52mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 240nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 625W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 20.29mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 26.42mm | ||
Width 5.21 mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel Power MOSFET, IXYS HiperFET PolarHV Series
A range of IXYS PolarHV™ series N-channel Enhancement mode Power MOSFET with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- IXYS PolarHVTM HiPerFET Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin ISOPLUS264
- IXYS Polar HiPerFET Type N-Channel MOSFET 300 V Enhancement, 3-Pin ISOPLUS247
- IXYS Polar HiPerFET Type N-Channel MOSFET 300 V Enhancement, 3-Pin ISOPLUS247 IXFR140N30P
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-268
- IXYS HiperFET Type N-Channel Power MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin PLUS264
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-264