onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET, 2.6 A, 12 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDN306P

RS Stock No.:: 124-1702
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDN306P
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET, 2.6 A, 12 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDN306P

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 9000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB1,782.00

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB19,776.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB21,159.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ขาดตลาด

เนื่องจากสินค้าขาดตลาด จะสามารถกำหนดสต็อกได้เมื่อสินค้าพร้อมจำหน่าย

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*	การประหยัด
3000 - 6000	THB6.592	THB19,776.00	-
9000 +	THB6.394	THB19,182.00	THB1,782.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 124-1702
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDN306P
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	12V
	Series	PowerTrench
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	40mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	12nC
	Maximum Power Dissipation Pd	500mW
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-8V, +8V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	2.92mm
	Width	1.4mm
	Standards/Approvals	No
	Height	940μm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 12V
	Series PowerTrench
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 40mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC
	Maximum Power Dissipation Pd 500mW
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -8V, +8V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 2.92mm
	Width 1.4mm
	Standards/Approvals No
	Height 940μm
	Automotive Standard No

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.

The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this Advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.

Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET, 2.6 A, 12 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDN306P

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง