STMicroelectronics MDmesh DM2 Type N-Channel MOSFET, 28 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 111-6464P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STF35N60DM2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 14 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB1,796.97
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,922.76
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 234 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 14 - 24 | THB128.355 |
| 26 + | THB126.385 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 111-6464P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STF35N60DM2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 28A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | MDmesh DM2 | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 110mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 54nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 40W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.4mm | |
| Width | 4.6 mm | |
| Height | 16.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 28A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series MDmesh DM2 | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 110mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 54nC | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 40W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.4mm | ||
Width 4.6 mm | ||
Height 16.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
High dV/dt capability for improved system reliability
AEC-Q101 qualified